<listing id="ndfhd"><var id="ndfhd"><i id="ndfhd"></i></var></listing><var id="ndfhd"><strike id="ndfhd"></strike></var>
<var id="ndfhd"></var>
<cite id="ndfhd"></cite>
<var id="ndfhd"></var>
<var id="ndfhd"><video id="ndfhd"></video></var>
<var id="ndfhd"><video id="ndfhd"><menuitem id="ndfhd"></menuitem></video></var>
<cite id="ndfhd"><video id="ndfhd"></video></cite>
<var id="ndfhd"></var>
<var id="ndfhd"></var>
<ins id="ndfhd"><span id="ndfhd"><var id="ndfhd"></var></span></ins>
<var id="ndfhd"><video id="ndfhd"></video></var>

中芯国际7nm工艺Q4季度问世:性能提升20% 功耗降低57%

幸运28公众号

原标题:中芯国际7nm工艺Q4季度问世:性能提升20% 功耗降低57%

台积电、三星今年就要量产5nm工艺了,国内的先进工艺还在追赶,最大的晶圆代工厂中芯国际去年底量产了14nm工艺,带来了1%的营收,收入769万美元,不过该工艺技术已经可以满足国内95%的需求了。

14nm及改进型的12nm工艺是中芯国际第一代FinFET工艺,他们还在研发更先进的N+1括N+2 FinFET工艺,分别相当于7nm工艺的低功耗、高性能版本。

根据中芯国际联席CEO梁孟松博士所示,N+1工艺和14nm相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,逻辑面积缩小了63%,SoC面积减少了55%。

N+1之后还会有N+2,这两种工艺在功耗上表现差不多,区别在于 性能及成本,N+2显然是面向高性能的,成本也会增加。

至于备受关注的EUV光刻机,梁孟松表示在当前的环境下,N+1、N+2代工艺都不会使用EUV工艺,等到设备就绪之后,N+2工艺可能会有几层光罩使用EUV,之后的工艺才会大规模转向EUV光刻工艺。

现在最关键的是中芯国际的7nm何时量产,最新消息称中芯国际的N+1 FinFET工艺已经有客户导入了(不过没公布客户名单),今年Q4季度小规模生产——这个消息比之前的爆料要好一些,进度更快。

为了加快先进工艺产能,中芯国际今年的资本开支将达到31亿美元(该公司一年营收也不过30亿美元上下),其中20亿美元用于中芯国际的上海12英寸晶圆厂,5亿美元用于北京12英寸晶圆厂。

上一篇:

下一篇:

棋牌交流微信群